IPD80R280P7ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD80R280P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPB60R280P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD80R280P7ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 (600 V) |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 17 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 280 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 101 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| عدد الأطراف | — | 3 (2 + Tab) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |