IPD80R600P7ATMA1 vs IPD60R600P6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD80R600P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R600P6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 - 600V 7.3A CoolMOS P6 MOSFET | Infineon

IPD60R600P6ATMA1 - 600V 7.3A CoolMOS P6 MOSFET | Infineon

IPD60R600P6ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD80R600P7ATMA1 IPD60R600P6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 22 A —
On-Resistance (RDS(on), max) 600 mΩ at VGS=10V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 60 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V (typical) —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) 20 mJ —
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) 0.17 mJ —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK) surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS P7 super-junction CoolMOS P6 (superjunction N-channel MOSFET)
Polarity N-Channel —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drain-Source Voltage (Vds) — 600 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 7.3 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulse value]
On-State Resistance Rds(on) — 540 mOhm (typ, per Infineon product page)
Power Dissipation (Pd, Tc) — 63 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Body Diode Reverse Recovery — Fast recovery (CoolMOS P6 family characteristic)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40C to +150C
حالة RoHS — Compliant (per Infineon product page)
Application Family — PFC stages, hard/soft switching PWM, resonant converters, PC Silverbox, adapter, LCD/PDP TV, lighting, server, telecom, UPS
Series — CoolMOS P6 industrial grade

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر