IPD90N03S4L02ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90N03S4L02ATMA1 بواسطة Infineon و BSC014N06NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD90N03S4L02ATMA1 BSC014N06NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench OptiMOS 5 (shielded-gate trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A 100 A
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
RDS(on) Max at VGS=10 V 2.2 mΩ —
RDS(on) Max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] —
Gate Drive Voltage (VGS) 4.5 V to 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical value] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
العلبة PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1
حالة RoHS Compliant (Green Package) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Series OptiMOS-T2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر