IPD90N06S407ATMA2 vs IPD200N15N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90N06S407ATMA2 بواسطة Infineon و IPD200N15N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD90N06S407ATMA2 IPD200N15N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D at T_C) 90 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A 6.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 4 V at 40 uA —
Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V 56 nC —
Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) 79 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature range] —
العلبة PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Green Product) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD200N15N3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 (trench)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 150 W
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
مستوى MSL — 1
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر