IPT008N06NM5LFATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT008N06NM5LFATMA1 بواسطة Infineon و BSC028N06NSTATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPT008N06NM5LFATMA1 BSC028N06NSTATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 / Linear FET —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 454 A —
تيار التصريف النبضي [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 0.8 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.6 V (typ, 250 µA test) —
Power Dissipation (Tc) 278 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (TJ) —
العلبة PG-HSOF-8 (single, flat-lead) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
حالة RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 not_qualified (industrial-grade by default) —
Series — OptiMOS 5
Part Number Base — BSC028N06NS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
خالٍ من الهالوجين — Yes
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر