IPT015N10N5ATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT015N10N5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC0504NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPT015N10N5ATMA1 BSC0504NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
العلبة PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-6
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
حالة RoHS Compliant unknown
Packaging Tape & Reel —
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
عدد الدبابيس — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
جهد عتبة البوابة — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
المقاومة الحرارية — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر