IPT015N10N5ATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPT015N10N5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC0504NSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPT015N10N5ATMA1 BSC0504NSIATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.78 $0.00
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
패키지 PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-6
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
동작 온도 -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
RoHS 상태 Compliant unknown
Packaging Tape & Reel —
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
핀 수 — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
게이트 임계 전압 — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
열 저항 — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

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