IPT015N10NF2SATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT015N10NF2SATMA1 بواسطة Infineon و IQE018N06NM6CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPT015N10NF2SATMA1 | IQE018N06NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| العلبة | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| طاقة الانهيار النبضي المفرد | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 178 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 25 A |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.3 V (logic-level compatible) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |