IPTG025N15NM6ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPTG025N15NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN08S7N024ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPTG025N15NM6ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) OptiMOS 7 trench
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 264 A (pulsed) 165 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 395 W —
On-State Resistance RDS(on) typ 2.5 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
العلبة PG-HSOG-8-1 (TOLG) PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) -55C to +175C (typical automotive)
حالة RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Solder Joint Reliability Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK —
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
تبديد القدرة (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS Compliance — Compliant
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر