IPW60R037P7XKSA1 vs IPL60R115CFD7AUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPW60R037P7XKSA1 بواسطة Infineon و IPL60R115CFD7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPW60R037P7XKSA1 | IPL60R115CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ P7 | CoolMOS CFD7 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET (Superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | 76 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | 37 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 3.5 V | — |
| العلبة | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) | — |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7) |
| Orderable Part Number Suffix | XKSA1 (tube packaging, industrial) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listings) |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Part Number | — | IPL60R115CFD7AUMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 115 mOhm (typ, VGS=10V) |
| العلبة / الحالة | — | PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad |
| Integrated Body Diode | — | Yes - fast body diode (CFD) |
| Application | — | Resonant high-power topologies (LLC, PFC) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| عدد الأطراف | — | 4 |
| Quantity per Reel | — | [DATA_NEEDED: reel qty] |