IPW60R037P7XKSA1 vs IPL60R115CFD7AUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPW60R037P7XKSA1 제조: Infineon 및 IPL60R115CFD7AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ 활성
Infineon
IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPW60R037P7XKSA1 IPL60R115CFD7AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.55 $1.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ P7 CoolMOS CFD7
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
패키지 PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) —
실장 유형 Through Hole Surface Mount
동작 접합 온도 -55 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7)
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
RoHS 상태 Compliant Compliant (per distributor listings)
Avalanche Rated Yes —
Part Number — IPL60R115CFD7AUMA1
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 22 A
On-Resistance (RDS(on)) — 115 mOhm (typ, VGS=10V)
패키지 / 케이스 — PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad
Integrated Body Diode — Yes - fast body diode (CFD)
Application — Resonant high-power topologies (LLC, PFC)
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
핀 수 — 4
Quantity per Reel — [DATA_NEEDED: reel qty]

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