IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQE022N06LM5CGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE036N08NM6CGATMA1 بواسطة Infineon و IQE022N06LM5CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQE036N08NM6CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 118 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 16.7 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V (max) —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction, Tj) -55C to +150C
العلبة PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode)
Configuration Single N-channel, Source-Down —
Part Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C — 24 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 151 A
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) — 2.2 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Power Dissipation (T_A) — 2.5 W
Power Dissipation (T_C) — 100 W
عدد الأطراف — 9 (with exposed thermal pad)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر