IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE220N15NM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE012N03LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | 2 V (typ, per Merlin listing) |
| العلبة | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | — | 224 A |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.15 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) |
| Lead-Free | — | Yes |