IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE220N15NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE012N03LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ فعالInfineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | 2 V (typ, per Merlin listing) |
| پیکیج | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | — | 224 A |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.15 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) |
| Lead-Free | — | Yes |