IR2011STRPBF vs IR21531STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2011STRPBF بواسطة Infineon و IR21531STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2011STRPBF IR21531STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) Half-Bridge
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL —
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40C to +125C
العلبة 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-pin SOIC (SO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
عدد المخارج — 2 (high-side, low-side)
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
زمن الصعود — 80 ns
زمن السقوط — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
حالة RoHS — Compliant (ROHS3)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر