IR2109STRPBF vs IR2304SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2109STRPBF بواسطة Infineon و IR2304SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2109STRPBF IR2304SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) High and Low Side, Independent Channels
عدد المخارج 2 (High-Side / Low-Side) 2
High-Side Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Peak Source Output Current 0.2 A (typ) —
Peak Sink Output Current 0.35 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 750 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
ton / toff (typ) 540 ns —
Input Logic Non-Inverting —
UVLO Yes (VCC and VBS) —
Bootstrap Diode Integrated —
Dead Time Control Built-in —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
العلبة 8-SOIC (3.90 mm Width) 8-Pin SOIC (SO-8 N)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر