IR2114SSPBF vs IRS2011STRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2114SSPBF بواسطة Infineon و IRS2011STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IR2114SSPBF | IRS2011STRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Configuration | Half-bridge gate driver | High-Side and Low-Side, Independent Channels |
| عدد المخارج | 2 (high-side + low-side) | 2 |
| البنية الطوبولوجية | Non-inverting | — |
| Offset (high-side) Voltage (max) | 600 V | — |
| Gate Drive Supply (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Logic Supply (VDD) | 10 V to 20 V | — |
| Bootstrap Supply (VBS) | 10 V to 25 V (with respect to VS) | — |
| Source Current (typ.) | 2 A | — |
| Sink Current (typ.) | 3 A | — |
| Rise / Fall Time (typ.) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| Propagation Delay (typ.) | 50 ns | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL | — |
| UVLO Thresholds | VCC and VBS, internally set | — |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | — |
| Over-Current Shutdown | Yes (programmable, with FAULT output) | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| العلبة | 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) | 8-SOIC (DSO-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix) |
| الوظيفة | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Maximum Offset Voltage (High-Side) | — | 200 V |
| Output Current (Source / Sink) | — | 1 A typical / 1 A typical |
| Propagation Delay (ton/toff) | — | 60 ns typical |
| Delay Matching | — | 20 ns maximum |
| Logic Input Compatibility | — | 3.3 V CMOS / LSTTL |
| Bootstrap Supply | — | Integrated bootstrap diode, floating channel |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Negative Transient Tolerance | — | Yes, dV/dt immune |
| Suitable Drivers | — | MOSFETs and IGBTs |