IR2114SSPBF vs IRS2011STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2114SSPBF توسط Infineon و IRS2011STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2114SSPBF IRS2011STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side, Independent Channels
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side + low-side) 2
توپولوژی Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A —
Sink Current (typ.) 3 A —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL —
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
دمای کاری -40 C to +125 C -40 C to +125 C
بسته‌بندی 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) 8-SOIC (DSO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
عملکرد — Half-Bridge Gate Driver
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت