IR2128STRPBF vs IR21271STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2128STRPBF بواسطة Infineon و IR21271STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2128STRPBF IR21271STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side, Low-Side Gate Driver High-Side or Low-Side
Input Polarity Inverting Non-Inverting
Number of Drivers 1 —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 12 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.25 A —
Sink Current (typ.) 0.5 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS, LSTTL —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Over-Current Protection Yes (current-sense comparator, fault output) —
dv/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (3.90 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Fault Output Open-drain, active-low —
Bootstrap Pin VB (with respect to VS) —
عدد المخارج — 1
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
زمن الصعود — [DATA_NEEDED: rise time]
زمن السقوط — [DATA_NEEDED: fall time]
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر