IR2128STRPBF vs IR21271STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2128STRPBF por Infineon y IR21271STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2128STRPBF IR21271STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $1,82
Configuration High-Side, Low-Side Gate Driver High-Side or Low-Side
Input Polarity Inverting Non-Inverting
Number of Drivers 1 —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 12 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.25 A —
Sink Current (typ.) 0.5 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS, LSTTL —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Over-Current Protection Yes (current-sense comparator, fault output) —
dv/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (3.90 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 2 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Fault Output Open-drain, active-low —
Bootstrap Pin VB (with respect to VS) —
Número de salidas — 1
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
Tiempo de subida — [DATA_NEEDED: rise time]
Tiempo de bajada — [DATA_NEEDED: fall time]
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

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