IR2128STRPBF vs IR21271STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2128STRPBF von Infineon und IR21271STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2128STRPBF IR21271STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $1,82
Configuration High-Side, Low-Side Gate Driver High-Side or Low-Side
Input Polarity Inverting Non-Inverting
Number of Drivers 1 —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 12 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.25 A —
Sink Current (typ.) 0.5 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS, LSTTL —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Over-Current Protection Yes (current-sense comparator, fault output) —
dv/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (3.90 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 2 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Fault Output Open-drain, active-low —
Bootstrap Pin VB (with respect to VS) —
Anzahl der Ausgänge — 1
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
Anstiegszeit — [DATA_NEEDED: rise time]
Abfallzeit — [DATA_NEEDED: fall time]
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern