IRF4905SPBF vs IRF9530NPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF4905SPBF بواسطة Infineon و IRF9530NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF4905SPBF | IRF9530NPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | -42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on) max) | 20 mOhm @ VGS = -10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 170 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | -55°C to +175°C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] | — |
| العلبة | D2PAK (TO-263) surface mount | TO-220AB (through-hole) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET, planar cell | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC (typical per Mouser listing) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| حالة RoHS | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | -14 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 200 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 38.7 nC |
| Maximum Power Dissition at TC=25°C | — | 79 W |
| Mounting Screw Torque (max) | — | [DATA_NEEDED: maximum torque] |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated |
| dv/dt Rating | — | Dynamic dV/dt rated |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant |