IRF4905SPBF vs IRF9530NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905SPBF tarafından Infineon ve IRF9530NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF4905SPBF IRF9530NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C -55°C to +175°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
Paket D2PAK (TO-263) surface mount TO-220AB (through-hole)
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET, planar cell —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
RoHS Durumu Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification JEDEC standard —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — -14 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 200 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — 38.7 nC
Maximum Power Dissition at TC=25°C — 79 W
Mounting Screw Torque (max) — [DATA_NEEDED: maximum torque]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dV/dt rated
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin