IRF7313TRPBF vs IRF7343TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7313TRPBF بواسطة Infineon و IRF7343TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7313TRPBF | IRF7343TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF7313TRPBF | — |
| Technology | IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) | IR MOSFET (HEXFET Generation V) |
| Transistor Configuration | Dual N-Channel (Independent) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 6.5 A per channel | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 29 mOhm at VGS=10V | 50 mOhm |
| Power Dissipation (PD) max | 2 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: ±V rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (typical range) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| العلبة | 8-pin SOIC (SO-8) surface mount | 8-SOIC (SO-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / Pbf | Yes (lead-free plating) | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Qualification Standard | Consumer market (per IR datasheet) | — |
| Shipping Media | Tape & Reel (TRPBF suffix) | — |
| Part Status | — | Active |
| نوع الترانزستور | — | N and P-Channel Complementary MOSFET Array |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel | — | 55 V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) - N-Channel | — | 4.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) - P-Channel | — | 3.4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel | — | 0.043 ohm (typical per chipdig.com) |
| Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliance | — | Compliant |