IRF7313TRPBF vs IRF7343TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7313TRPBF tarafından Infineon ve IRF7343TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7313TRPBF IRF7343TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7313TRPBF —
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V 50 mOhm
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Paket 8-pin SOIC (SO-8) surface mount 8-SOIC (SO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
MSL Seviyesi 1 —
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Part Status — Active
Transistor Türü — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
Power Dissipation (PD) — 2 W
Lead-Free — Yes
RoHS Compliance — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin