IRF7389TRPBF vs IRF7319TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7389TRPBF بواسطة Infineon و IRF7319TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7389TRPBF IRF7319TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Transistor Polarity N and P Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) 7.3 A —
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) -5.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max 29 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
Configuration Dual N+P Complementary Half-Bridge N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge)
Technology HEXFET Generation V (IR MOSFET) IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
العلبة 8-SO (SOIC-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C —
Avalanche Rated Yes —
Lead Free / RoHS Lead Free / RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type — Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current N-channel (ID) — 6.5 A
Continuous Drain Current P-channel (ID) — 4.9 A
RDS(on) Max N-channel — 29 mOhm (per Infineon product page)
RDS(on) Max P-channel — [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch — 120 C/W (steady state)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch — 110 C/W (steady state)
Package Type — 8-SOIC (SO-8)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر