IRF7469TRPBF vs BSC097N06NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7469TRPBF بواسطة Infineon و BSC097N06NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7469TRPBF BSC097N06NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (Tj) —
العلبة 8-SO (SOIC-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) 1 (Unlimited)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Part Status — Active
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM peak value]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر