IRF7469TRPBF vs BSC097N06NSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7469TRPBF от Infineon и BSC097N06NSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF - 40V N-Ch 9A 17mOhm SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7469TRPBF - 40V N-Ch 9A 17mOhm SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7469TRPBF ✓ Активен
Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7469TRPBF BSC097N06NSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,37 $0,38
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C (Tj) —
Корпус 8-SO (SOIC-8) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (unlimited) 1 (Unlimited)
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Part Status — Active
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM peak value]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
Рабочая температура перехода — -55C to +150C
Корпус / Типоразмер — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену