IRFH7084TRPBF vs IRLH5030TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH7084TRPBF بواسطة Infineon و IRLH5030TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFH7084TRPBF IRLH5030TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ) —
العلبة 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant —
خالٍ من الهالوجين Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLH5030TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)
Power Dissipation at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 156 W
Thermal Resistance to PCB (RthJC) — 0.8 C/W
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification — JEDEC standard
Rg Tested — 100%
RoHS Compliance — Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free)
Industry-Standard Pinout — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر