IRFH7084TRPBF vs IRLH5030TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH7084TRPBF tarafından Infineon ve IRLH5030TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH7084TRPBF IRLH5030TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) —
Paket 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant —
Klorürsüz Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLH5030TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)
Power Dissipation at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 156 W
Thermal Resistance to PCB (RthJC) — 0.8 C/W
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification — JEDEC standard
Rg Tested — 100%
RoHS Compliance — Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free)
Industry-Standard Pinout — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin