IRFL4315TRPBF vs IRF7306TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFL4315TRPBF بواسطة Infineon و IRF7306TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFL4315TRPBF IRF7306TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D) at 25°C 2.6 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: I_DM rating] —
R_DS(on) max at V_GS=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Q_G 12 nC —
Gate-to-Source Voltage V_GS ±30 V (max) —
Continuous Source Current (Body Diode I_S) 1.6 A —
di/dt (Body Diode) 230 A/μs —
Power Dissipation (Ta) 2.8 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: T_J min/max] -55°C to +150°C (junction)
العلبة SOT-223 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
Qualification Standard Industrial market (per Infineon datasheet) —
Lead-Free / RoHS Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) Tape & Reel (TR)
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر