IRFZ34NPBF vs IRFP2907PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFZ34NPBF بواسطة Infineon و IRFP2907PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFZ34NPBF IRFP2907PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
Maximum Junction Temperature 175 C —
العلبة TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) —
نوع التركيب Through Hole —
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard —
حالة RoHS Compliant —
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (repetitive avalanche rated)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر