IRFZ48NSTRLPBF vs IRFZ34NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFZ48NSTRLPBF بواسطة Infineon و IRFZ34NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFZ48NSTRLPBF IRFZ34NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
حالة RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status — Active
Technology — HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C
Maximum Junction Temperature — 175 C
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Qualification — JEDEC standard
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر