IRFZ48NSTRLPBF vs IRFZ34NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFZ48NSTRLPBF توسط Infineon و IRFZ34NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFZ48NSTRLPBF IRFZ34NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
نوع نصب Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status — Active
Technology — HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C
Maximum Junction Temperature — 175 C
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Qualification — JEDEC standard
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت