IRL3705NPBF vs IRFB3207ZPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRL3705NPBF بواسطة Infineon و IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRL3705NPBF IRFB3207ZPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 89 A —
تيار التصريف النبضي [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc 170 W —
On-Resistance R_DS(on) 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g 65.3 nC —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Technology HEXFET (planar cell, fifth generation) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
العلبة TO-220AB (3-pin through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Gate Drive Level Logic-level —
Avalanche Rated Yes (ruggedized single-pulse avalanche) Yes (improved Z-variant ruggedness)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
حالة RoHS Compliant (per PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
مستوى MSL — N/A (through-hole)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر