IRL3705NPBF vs IRFB3207ZPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRL3705NPBF מאת Infineon ו IRFB3207ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRL3705NPBF IRFB3207ZPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 89 A —
זרם ניקוז פועם [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc 170 W —
On-Resistance R_DS(on) 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g 65.3 nC —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Technology HEXFET (planar cell, fifth generation) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
מארז TO-220AB (3-pin through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Gate Drive Level Logic-level —
Avalanche Rated Yes (ruggedized single-pulse avalanche) Yes (improved Z-variant ruggedness)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
סטטוס RoHS Compliant (per PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
רמת MSL — N/A (through-hole)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר