IRL540NSTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRL540NSTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR5305TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRL540NSTRLPBF IRFR5305TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C —
العلبة TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
حالة RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Technology — HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر