IRL540NSTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRL540NSTRLPBF מאת Infineon ו IRFR5305TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRL540NSTRLPBF IRFR5305TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C —
מארז TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
סטטוס RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Technology — HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר