IRS2110SPBF vs IR2132SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2110SPBF بواسطة Infineon و IR2132SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2110SPBF IR2132SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
تكوين الخرج Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40C to +125C
العلبة 16-SOIC (SOIC-16 W) 28-SOIC (Wide Body, 7.50 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (Pb-free) —
مستوى MSL 3 —
Part Number — IR2132SPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
الوظيفة — Half-Bridge Gate Driver IC (3-phase, 6-channel)
Configuration — Inverting input
عدد المخارج — 6 (3 high-side, 3 low-side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Output Current (Source/Sink) — 0.5 A
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — CMOS/LSTTL, down to 2.5 V logic
Typical Deadtime — 0.8 us
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, all 6 channels
Bootstrap Design — Required for high-side channels
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix, RoHS compliant)
Packaging — Tube
البنية الطوبولوجية — 3-phase bridge driver for MOSFETs/IGBTs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر