IRS2110SPBF vs IR2132SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2110SPBF מאת Infineon ו IR2132SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2110SPBF IR2132SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
תצורת מוצא Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40C to +125C
מארז 16-SOIC (SOIC-16 W) 28-SOIC (Wide Body, 7.50 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free) —
רמת MSL 3 —
Part Number — IR2132SPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
פונקציה — Half-Bridge Gate Driver IC (3-phase, 6-channel)
Configuration — Inverting input
מספר יציאות — 6 (3 high-side, 3 low-side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Output Current (Source/Sink) — 0.5 A
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — CMOS/LSTTL, down to 2.5 V logic
Typical Deadtime — 0.8 us
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, all 6 channels
Bootstrap Design — Required for high-side channels
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix, RoHS compliant)
Packaging — Tube
טופולוגיה — 3-phase bridge driver for MOSFETs/IGBTs

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר