IRS2181STRPBF vs IRS2011STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2181STRPBF بواسطة Infineon و IRS2011STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2181STRPBF IRS2011STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration High-side and low-side referenced, non-inverting High-Side and Low-Side, Independent Channels
عدد المخارج 2 (HO, LO) 2
Offset Voltage (max) 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
VBS Bootstrap Supply Voltage 10 V to 20 V (referenced to VS) —
Output Source Current (typ) 1.9 A —
Output Sink Current (typ) 2.3 A —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: typical rise/fall time with 1000 pF load] —
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: t_on / t_off matching] —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V logic 3.3 V CMOS / LSTTL
Under-Voltage Lockout (UVLO) Present on VCC and VBS —
Shutdown Pin (SD) Yes, active-low compatible input stage —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C (junction) —
العلبة 8-pin SOIC (SO-8, 0.154" / 3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
مستوى MSL MSL 2 / 3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: exact MSL floor-life]) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
حالة RoHS — Compliant (PBF suffix)
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر