IRS2181STRPBF vs IRS2011STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2181STRPBF מאת Infineon ו IRS2011STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2181STRPBF IRS2011STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration High-side and low-side referenced, non-inverting High-Side and Low-Side, Independent Channels
מספר יציאות 2 (HO, LO) 2
Offset Voltage (max) 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
VBS Bootstrap Supply Voltage 10 V to 20 V (referenced to VS) —
Output Source Current (typ) 1.9 A —
Output Sink Current (typ) 2.3 A —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: typical rise/fall time with 1000 pF load] —
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: t_on / t_off matching] —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V logic 3.3 V CMOS / LSTTL
Under-Voltage Lockout (UVLO) Present on VCC and VBS —
Shutdown Pin (SD) Yes, active-low compatible input stage —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C (junction) —
מארז 8-pin SOIC (SO-8, 0.154" / 3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
רמת MSL MSL 2 / 3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: exact MSL floor-life]) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
סטטוס RoHS — Compliant (PBF suffix)
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר