IRS2453DSTRPBF vs IRS2153DSPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2453DSTRPBF بواسطة Infineon و IRS2153DSPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2453DSTRPBF IRS2153DSPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Driver Configuration High-side and low-side (full-bridge) —
Number of Drivers 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs) —
Gate Drive Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Input Voltage (VB offset) 600 V (high-side offset rating) —
Source Current (typ.) 0.18 A —
Sink Current (typ.) 0.26 A —
Oscillator Type RC, CMOS 555-style front-end —
Bootstrap FET Integrated —
Shutdown Pin Yes —
Input Circuit RC Input Circuit —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
العلبة 14-SOIC (0.154", 3.90 mm) 8-SOIC (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (Pb-free per suffix "PBF") —
Technology HVIC and latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
عدد المخارج — 2 (HO, LO)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر