IRS2453DSTRPBF vs IRS2153DSPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2453DSTRPBF מאת Infineon ו IRS2153DSPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2453DSTRPBF IRS2153DSPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Driver Configuration High-side and low-side (full-bridge) —
Number of Drivers 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs) —
Gate Drive Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Input Voltage (VB offset) 600 V (high-side offset rating) —
Source Current (typ.) 0.18 A —
Sink Current (typ.) 0.26 A —
Oscillator Type RC, CMOS 555-style front-end —
Bootstrap FET Integrated —
Shutdown Pin Yes —
Input Circuit RC Input Circuit —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
מארז 14-SOIC (0.154", 3.90 mm) 8-SOIC (SOIC-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free per suffix "PBF") —
Technology HVIC and latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
מספר יציאות — 2 (HO, LO)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר