ISC009N03LF2SATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC009N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و ISZ033N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC009N03LF2SATMA1 | ISZ033N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ trench | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 43 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 341 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | 2.35 V max @ 30 uA |
| العلبة | PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | 10 V (typical for rated RDS(on)) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 109 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 71 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |