ISC011N03L5SATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC011N03L5SATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S6N009TATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC011N03L5SATMA1 | IAUCN04S6N009TATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 40 V |
| Part Number | — | IAUCN04S6N009T |
| Ordering Code (MPN) | — | IAUCN04S6N009TATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, at Tj) | — | 330 A |
| Power Dissipation (PD, at Tc) | — | 178 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.9 mΩ |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| Gate Threshold VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |