ISC011N06LM5ATMA1 vs IPC90N04S5L3R3ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC011N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon و IPC90N04S5L3R3ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC011N06LM5ATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
العلبة PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Product Family — OptiMOS 5 40V
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.3 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.7 V to 2.7 V (logic level)
Total Power Dissipation (TC=25°C) — 62 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +175°C
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temp range]
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Peak Reflow Temperature — 260°C
Qualification — AEC-Q101 automotive qualified
Avalanche Tested — 100% (production-level)
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر