ISC015N04NM5ATMA1 vs BSC015NE2LS5IATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC015N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC015NE2LS5IATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC015N04NM5ATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) —
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55C to +150C (junction)
العلبة / الحالة PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 8
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per Infineon SuperSO8 family) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Product Family — OptiMOS 5 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.5 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 50 W
العلبة — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر