ISC033N03LF2SATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC033N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N06NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل ISC033N03LF2SATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
MPN ISC033N03LF2SATMA1 —
Part Family OptiMOS LF2 (<= 40V) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench (<= 40V) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 108 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum On-Resistance RDS(on) max 3.3 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
العلبة PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +175 C
Junction Temperature (TJ) max [DATA_NEEDED: junction temperature max] —
Configuration Single N-channel, source-down —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر