ISC151N08NM6ATMA1 vs IPTC017N12NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC151N08NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IPTC017N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC151N08NM6ATMA1 | IPTC017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (TJ max) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 331 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 2.4 V (typ) |
| Total Gate Charge QG | — | 141 nC at VGS = 10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.4 nF at VDS = 60 V |
| Output Capacitance Coss | — | 11000 pF at VDS = 60 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 395 W |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |